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IRF5802TRPBF
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
NOVA-Teilenummer:
312-2274934-IRF5802TRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRF5802TRPBF
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | Micro6™(TSOP-6) | |
| Basisproduktnummer | IRF5802 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 900mA (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 540mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 88 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) | |
| Andere Namen | IRF5802TRPBFTR IRF5802TRPBF-ND IRF5802TRPBFCT SP001561828 IRF5802TRPBFDKR |
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