SIB452DK-T1-GE3

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MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75

NOVA-Teilenummer:

312-2281580-SIB452DK-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIB452DK-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 190 V 1.5A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SC-75-6
Basisproduktnummer	SIB452
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.5 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SC-75-6
Vgs (Max)	±16V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	190 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	135 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)	2.4W (Ta), 13W (Tc)
Andere Namen	SIB452DK-T1-GE3DKR SIB452DKT1GE3 SIB452DK-T1-GE3CT SIB452DK-T1-GE3TR