SI4447ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2285281-SI4447ADY-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4447ADY-T1-GE3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 40 V 7.2A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC
Basisproduktnummer SI4447
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)±20V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 970 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.) 4.2W (Tc)
Andere NamenSI4447ADY-T1-GE3TR
SI4447ADY-T1-GE3CT
SI4447ADY-T1-GE3DKR
SI4447ADY-T1-GE3-ND

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