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P-Channel 30 V 50A (Tc) 1W (Ta), 102W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Renesas Electronics America Inc | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-HSON | |
Basisproduktnummer | NP50P03 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | P-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3500 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 102W (Tc) | |
Andere Namen | NP50P03YDG-E1-AYDKR -1161-NP50P03YDG-E1-AYCT NP50P03YDGE1AY NP50P03YDG-E1-AY-ND 559-NP50P03YDG-E1-AYTR 559-NP50P03YDG-E1-AYCT NP50P03YDG-E1-AYCT NP50P03YDG-E1-AYDKR-ND 559-NP50P03YDG-E1-AYDKR NP50P03YDG-E1-AYCT-ND NP50P03YDG-E1-AYTR NP50P03YDG-E1-AYTR-ND |
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