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CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
NOVA-Teilenummer:
312-2281353-CSD19537Q3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
CSD19537Q3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 100 V 50A (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-VSON (3.3x3.3) | |
| Basisproduktnummer | CSD19537 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1680 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 83W (Tc) | |
| Andere Namen | 296-44351-1 296-44351-2 CSD19537Q3-ND 296-44351-6 |
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