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N-Channel 55 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
Basisproduktnummer | BUK65 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 191 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-220-3 | |
Vgs (Max) | ±16V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 11516 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 263W (Tc) | |
Andere Namen | BUK653R555C127 934064238127 568-7497-5 BUK653R5-55C,127-ND 2156-BUK653R5-55C127 NEXNXPBUK653R5-55C,127 |
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