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SI4866DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2291155-SI4866DY-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4866DY-T1-E3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 12 V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | SI4866 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 17A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) | |
| Andere Namen | SI4866DY-T1-E3TR SI4866DYT1E3 SI4866DY-T1-E3DKR SI4866DY-T1-E3CT SI4866DY-T1-E3-ND |
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