SI3443DDV-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP

NOVA-Teilenummer:

312-2284499-SI3443DDV-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI3443DDV-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 20 V 4A (Ta), 5.3A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-TSOP
Basisproduktnummer	SI3443
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	4A (Ta), 5.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 8 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Max)	±12V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	970 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Andere Namen	SI3443DDV-T1-GE3DKR SI3443DDV-T1-GE3CT SI3443DDV-T1-GE3TR