SI7615CDN-T1-GE3

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MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

NOVA-Teilenummer:

312-2285043-SI7615CDN-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI7615CDN-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 20 V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® 1212-8
Basisproduktnummer	SI7615
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen III
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	35A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	3860 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Andere Namen	SI7615CDN-T1-GE3TR SI7615CDN-T1-GE3CT SI7615CDN-T1-GE3DKR