Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
Basisproduktnummer | BST7 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 190mA (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 150mA, 5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Vgs (Max) | 20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 40 pF @ 10 V | |
Verlustleistung (max.) | 830mW (Ta) | |
Andere Namen | 933710530112 BST72A BST72A-ND |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.