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G3R20MT12N
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
NOVA-Teilenummer:
312-2289975-G3R20MT12N
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
G3R20MT12N
Standardpaket:
10
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 1200 V 105A (Tc) 365W (Tc) Chassis Mount SOT-227
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Chassis Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-227 | |
| Basisproduktnummer | G3R20 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | G3R™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 105A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 15mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 219 nC @ 15 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Max) | +20V, -10V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 5873 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 365W (Tc) | |
| Andere Namen | 1242-G3R20MT12N |
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