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N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-4
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-4 | |
Basisproduktnummer | MSC080 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 37A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 20V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 20 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-4 | |
Vgs (Max) | +23V, -10V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 838 pF @ 1000 V | |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) | |
Andere Namen | 150-MSC080SMA120B4 |
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