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IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2285627-IRFHM830TRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRFHM830TRPBF
Standardpaket:
4,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) | |
| Basisproduktnummer | IRFHM830 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 21A (Ta), 40A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2155 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | |
| Andere Namen | IRFHM830TRPBF-ND IRFHM830TRPBFTR SP001566782 IRFHM830TRPBFDKR IRFHM830TRPBFCT |
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