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N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-92-3 | |
Basisproduktnummer | BS170 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 500mA (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 40 pF @ 10 V | |
Verlustleistung (max.) | 830mW (Ta) | |
Andere Namen | BS170_D27Z BS170_D27ZDKRINACTIVE BS170_D27ZDKR-ND BS170-D27ZTR BS170_D27ZCT BS170_D27ZDKR BS170-D27ZDKRINACTIVE BS170_D27Z-ND BS170_D27ZTR BS170_D27ZDKRINACTIVE-ND BS170-D27ZCT BS170_D27ZTR-ND BS170_D27ZCT-ND |
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