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IPB60R040C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
NOVA-Teilenummer:
312-2289872-IPB60R040C7ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPB60R040C7ATMA1
Standardpaket:
1,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-3 | |
| Basisproduktnummer | IPB60R040 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ C7 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 24.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.24mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 107 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4340 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 227W (Tc) | |
| Andere Namen | IPB60R040C7ATMA1CT IPB60R040C7ATMA1-ND SP001277610 IPB60R040C7ATMA1DKR IPB60R040C7ATMA1TR |
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