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N-Channel 25 V 75A (Tc) 187W (Tc) Through Hole I-Pak
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | I-Pak | |
Basisproduktnummer | PHU10 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 75A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 4.5 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1375 pF @ 12 V | |
Verlustleistung (max.) | 187W (Tc) | |
Andere Namen | 934058325127 PHU108NQ03LT PHU108NQ03LT-ND |
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