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N-Channel 100 V 18A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-252-3 | |
Basisproduktnummer | DMN10 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.3A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1172 pF @ 50 V | |
Verlustleistung (max.) | 37W (Tc) | |
Andere Namen | DMN10H100SK3-13DICT DMN10H100SK3-13DITR DMN10H100SK3-13DIDKR |
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