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N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-3 | |
Basisproduktnummer | IPB038 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 100A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 211 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 120 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 13800 pF @ 60 V | |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) | |
Andere Namen | IPB038N12N3 GTR IPB038N12N3 GCT IPB038N12N3 G IPB038N12N3G IPB038N12N3GATMA1CT IPB038N12N3 GDKR-ND IPB038N12N3 GCT-ND IPB038N12N3 GDKR IPB038N12N3 GTR-ND IPB038N12N3GATMA1DKR IPB038N12N3 G-ND IPB038N12N3GATMA1TR SP000694160 |
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