HTNFET-DC

MOSFET N-CH 55V 8-DIP
NOVA-Teilenummer:
312-2314638-HTNFET-DC
Hersteller-Teile-Nr:
HTNFET-DC
Standardpaket:
1
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 55 V 50W (Tj) Through Hole

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerHoneywell Aerospace
RoHS 1
Betriebstemperatur -
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten -
Basisproduktnummer HTNFET
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieHTMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 5 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer8-CDIP Exposed Pad
Vgs (Max)10V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)55 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 290 pF @ 28 V
Verlustleistung (max.) 50W (Tj)

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