SUP90100E-GE3

N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
NOVA-Teilenummer:
312-2298872-SUP90100E-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SUP90100E-GE3
Standardpaket:
500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-220AB
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.9mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-220-3
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3930 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Andere Namen742-SUP90100E-GE3

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Whatsapp

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.