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N-Channel 200 V 94A (Tc) 580W (Tc) Through Hole TO-247AC
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247AC | |
Basisproduktnummer | IRFP90 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | HEXFET® | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 94A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 56A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-3 | |
Vgs (Max) | ±30V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 6040 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 580W (Tc) | |
Andere Namen | SP001552070 IFEINFIRFP90N20DPBF *IRFP90N20DPBF 2156-IRFP90N20DPBF |
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