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CSD23202W10
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
NOVA-Teilenummer:
312-2264900-CSD23202W10
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
CSD23202W10
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 4-DSBGA (1x1) | |
| Basisproduktnummer | CSD23202 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.2A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 500mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 4-UFBGA, DSBGA | |
| Vgs (Max) | -6V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 512 pF @ 6 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) | |
| Andere Namen | CSD23202W10-ND 296-40000-2 296-40000-1 -296-40000-1-ND 296-40000-6 |
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