SIR681DP-T1-RE3

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MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK

NOVA-Teilenummer:

312-2282444-SIR681DP-T1-RE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SIR681DP-T1-RE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer	SIR681
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	PowerPAK® SO-8
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4850 pF @ 40 V
Verlustleistung (max.)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Andere Namen	742-SIR681DP-T1-RE3CT 742-SIR681DP-T1-RE3TR 742-SIR681DP-T1-RE3DKR