Altium
Adler
OrCad
PADS
KiCad
IMZ120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
NOVA-Teilenummer:
312-2264915-IMZ120R350M1HXKSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IMZ120R350M1HXKSA1
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO247-4-1 | |
| Basisproduktnummer | IMZ120 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | CoolSiC™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.7A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 15V, 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 2A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3 nC @ 18 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-4 | |
| Vgs (Max) | +23V, -7V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 182 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) | |
| Andere Namen | SP001808378 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
IMW120R350M1HXKSA1Infineon Technologies
C3M0120065KWolfspeed, Inc.
IMZ120R220M1HXKSA1Infineon Technologies
IMZ120R140M1HXKSA1Infineon Technologies
