Altium
Adler
OrCad
PADS
KiCad
IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
NOVA-Teilenummer:
312-2275547-IRF200B211
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRF200B211
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
| Basisproduktnummer | IRF200 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 7.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-220-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 790 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 80W (Tc) | |
| Andere Namen | SP001561622 INFIRFIRF200B211 2156-IRF200B211 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
GI250-2-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes Division
FQP19N20onsemi- IRL640Aonsemi
IRF640NPBFInfineon Technologies
PHP20NQ20T,127NXP Semiconductors
1-1462038-7TE Connectivity Potter & Brumfield Relays- FQP19N20Consemi
J104D2C24VDC.20SCIT Relay and Switch
