SI9435BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2282206-SI9435BDY-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI9435BDY-T1-E3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 30 V 4.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC
Basisproduktnummer SI9435
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)±20V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)30 V
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta)
Andere NamenSI9435BDY-T1-E3DKR
SI9435BDYT1E3
Q6936817FI
SI9435BDY-T1-E3CT
SI9435BDY-T1-E3TR

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