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N-Channel 100 V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247AC | |
Basisproduktnummer | IRFP4468 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | HEXFET® | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 195A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 180A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 540 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-3 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 19860 pF @ 50 V | |
Verlustleistung (max.) | 520W (Tc) | |
Andere Namen | 2156-IRFP4468PBF SP001554960 IFEINFIRFP4468PBF |
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