SI1480DH-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
NOVA-Teilenummer:
312-2284525-SI1480DH-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI1480DH-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 100 V 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten SC-70-6
Basisproduktnummer SI1480
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 130 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Andere NamenSI1480DHT1GE3
SI1480DH-T1-GE3DKR
SI1480DH-T1-GE3CT
SI1480DH-T1-GE3TR

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