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N-Channel 100 V 8.2A (Ta) - Surface Mount Die
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | EPC | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | Die | |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8.2A (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 11A, 5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | Die | |
Vgs (Max) | +6V, -4V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 575 pF @ 50 V | |
Verlustleistung (max.) | - | |
Andere Namen | 917-1202-1 917-1202-2 917-1202-6 |
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