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SIHFL9110TR-GE3
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2299364-SIHFL9110TR-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SIHFL9110TR-GE3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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P-Channel 100 V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223 | |
| Basisproduktnummer | SIHFL9110 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.1A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 660mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 200 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
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