SQD50P08-25L_GE3

MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
NOVA-Teilenummer:
312-2273546-SQD50P08-25L_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQD50P08-25L_GE3
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 80 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA
Basisproduktnummer SQD50
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)±20V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)80 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 5350 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Andere NamenSQD50P08-25L_GE3CT
SQD50P08-25L_GE3DKR
SQD50P08-25L_GE3TR

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