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TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
NOVA-Teilenummer:
312-2289058-TK9J90E,S1E
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK9J90E,S1E
Standardpaket:
25
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-3P(N) | |
| Basisproduktnummer | TK9J90 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2000 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) | |
| Andere Namen | TK9J90E,S1E(S TK9J90ES1E |
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