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PHU11NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2344061-PHU11NQ10T,127
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
PHU11NQ10T,127
Standardpaket:
75
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 100 V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-Pak
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | I-Pak | |
| Basisproduktnummer | PHU11 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10.9A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.7 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 360 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 57.7W (Tc) | |
| Andere Namen | 934056349127 PHU11NQ10T PHU11NQ10T-ND |
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