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N-Channel 40 V 85A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | DPAK | |
Basisproduktnummer | NVD580 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 85A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3220 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 83W (Tc) | |
Andere Namen | NVD5803NT4GOSCT SVD5803NT4G-ND NVD5803NT4G-ND NVD5803NT4GOSDKR SVD5803NT4GOSDKR SVD5803NT4G SVD5803NT4GOSTR-ND SVD5803NT4GOSCT-ND SVD5803NT4GOSDKR-ND SVD5803NT4GOSTR SVD5803NT4GOSCT NVD5803NT4GOSTR |
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