SI4435DDY-T1-E3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO

NOVA-Teilenummer:

312-2282640-SI4435DDY-T1-E3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI4435DDY-T1-E3

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 30 V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-SOIC
Basisproduktnummer	SI4435
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	11.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1350 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Andere Namen	SI4435DDY-T1-E3-ND SI4435DDY-T1-E3DKR SI4435DDY-T1-E3CT SI4435DDYT1E3 SI4435DDY-T1-E3TR