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N-Channel 60 V 10.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-SO | |
Basisproduktnummer | DMT6009 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10.8A (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13.5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1925 pF @ 30 V | |
Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta) | |
Andere Namen | DMT6009LSS-13DITR DMT6009LSS-13DIDKR DMT6009LSS-13DICT |
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