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FDMS10C4D2N
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2279563-FDMS10C4D2N
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
FDMS10C4D2N
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 100 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-PQFN (5x6) | |
| Basisproduktnummer | FDMS10 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 17A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 44A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4500 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 125W (Tc) | |
| Andere Namen | FDMS10C4D2NOSDKR FDMS10C4D2NOSCT FDMS10C4D2NOSTR FDMS10C4D2N-ND |
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