Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 600 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | SOT-223-4 | |
Basisproduktnummer | FQT1N60 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | QFET® | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200mA (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5Ohm @ 100mA, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
Vgs (Max) | ±30V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 170 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Tc) | |
Andere Namen | FQT1N60CTF-WSDKR FQT1N60CTF_WSDKR-ND FQT1N60CTF_WSTR FQT1N60CTF-WSCT FQT1N60CTF_WS FQT1N60CTF_WSCT-ND FQT1N60CTF_WSTR-ND FQT1N60CTF_WSCT FQT1N60CTF-WSTR FQT1N60CTFWS FQT1N60CTF_WSDKR |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.