Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 50 V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | U-DFN2020-6 (Type F) | |
Basisproduktnummer | DMT5015 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.1A (Ta) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | 6-UDFN Exposed Pad | |
Vgs (Max) | ±16V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 902.7 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 820mW (Ta) | |
Andere Namen | DMT5015LFDF-7DIDKR DMT5015LFDF-7DICT DMT5015LFDF-7DITR |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.