SCT2H12NYTB

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SICFET N-CH 1700V 4A TO268

NOVA-Teilenummer:

312-2280533-SCT2H12NYTB

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SCT2H12NYTB

Standardpaket:

400

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

N-Channel 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-268
Basisproduktnummer	SCT2H12
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 410µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 18 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (Max)	+22V, -6V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	184 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)	44W (Tc)
Andere Namen	SCT2H12NYTBTR SCT2H12NYTBCT SCT2H12NYTBDKR