Altium
Adler
OrCad
PADS
KiCad
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
NOVA-Teilenummer:
312-2285387-IPN60R2K1CEATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPN60R2K1CEATMA1
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SOT223-3 | |
| Basisproduktnummer | IPN60R2 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.7A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 800mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | Super Junction | |
| Paket/Koffer | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 140 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Tc) | |
| Andere Namen | INFINFIPN60R2K1CEATMA1 2156-IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1TR IPN60R2K1CEATMA1DKR IPN60R2K1CEATMA1CT SP001434886 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
DMMT3906W-7-FDiodes Incorporated
L78M10ABDT-TRSTMicroelectronics
DMG1012T-7Diodes Incorporated
IPD60R600P6ATMA1Infineon Technologies
S1G-13-FDiodes Incorporated
C4D02120AWolfspeed, Inc.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon Technologies
