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N-Channel 650 V 50A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO247-4-3 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | CoolSiC™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 25A, 18V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 7.5mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 18 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-4 | |
Vgs (Max) | +20V, -2V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1393 pF @ 400 V | |
Verlustleistung (max.) | 176W (Tc) | |
Andere Namen | 448-IMZA65R039M1HXKSA1 |
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