SUD19P06-60-GE3

MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
NOVA-Teilenummer:
312-2280567-SUD19P06-60-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SUD19P06-60-GE3
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten TO-252AA
Basisproduktnummer SUD19
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)±20V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)60 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1710 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Andere NamenSUD19P06-60-GE3TR
SUD19P06-60-GE3CT
SUD19P0660GE3
SUD19P06-60-GE3DKR

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