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N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-247N | |
Basisproduktnummer | SCT3160 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 17A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 18V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 5A, 18V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 2.5mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 18 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-3 | |
Vgs (Max) | +22V, -4V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 398 pF @ 800 V | |
Verlustleistung (max.) | 103W (Tc) |
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