SI2307CDS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

NOVA-Teilenummer:

312-2280340-SI2307CDS-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI2307CDS-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 30 V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Basisproduktnummer	SI2307
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	3.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.2 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	340 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Andere Namen	SI2307CDS-T1-GE3TR SI2307CDS-T1-GE3DKR SI2307CDS-T1-GE3CT SI2307CDST1GE3