BSC060P03NS3EGATMA1

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MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON

NOVA-Teilenummer:

312-2287842-BSC060P03NS3EGATMA1

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

BSC060P03NS3EGATMA1

Standardpaket:

5,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

P-Channel 30 V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TDSON-8-1
Basisproduktnummer	BSC060
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	17.7A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.1V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±25V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	6020 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Andere Namen	BSC060P03NS3E GDKR-ND BSC060P03NS3E GCT BSC060P03NS3EG BSC060P03NS3E G BSC060P03NS3EGATMA1TR BSC060P03NS3E GDKR 2156-BSC060P03NS3EGATMA1 INFINFBSC060P03NS3EGATMA1 SP000472984 BSC060P03NS3E G-ND BSC060P03NS3EGATMA1CT BSC060P03NS3E GCT-ND BSC060P03NS3E GTR-ND BSC060P03NS3EGATMA1DKR