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N-Channel 560 V 32A (Tc) 284W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO247-3-1 | |
Basisproduktnummer | SPW32N50 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | CoolMOS™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 32A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1.8mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-247-3 | |
Vgs (Max) | ±20V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 560 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4200 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 284W (Tc) | |
Andere Namen | SPW32N50C3X SPW32N50C3IN-ND SPW32N50C3IN SP000014625 SPW32N50C3 SPW32N50C3-ND SPW32N50C3XK |
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