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N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK (TO-263) | |
Basisproduktnummer | IRFS9 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9.2A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5.5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
Vgs (Max) | ±30V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1400 pF @ 25 V | |
Verlustleistung (max.) | 170W (Tc) | |
Andere Namen | *IRFS9N60APBF |
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