SI2319DDS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23

NOVA-Teilenummer:

312-2284996-SI2319DDS-T1-GE3

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

SI2319DDS-T1-GE3

Standardpaket:

3,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

Altium

Adler

OrCad

PADS

KiCad

P-Channel 40 V 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	SOT-23-3 (TO-236)
Basisproduktnummer	SI2319
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen III
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	650 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
Andere Namen	SI2319DDS-T1-GE3TR SI2319DDS-T1-GE3CT SI2319DDS-T1-GE3DKR