SI4114DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2277984-SI4114DY-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4114DY-T1-GE3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 20 V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

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KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerVishay Siliconix
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 8-SOIC
Basisproduktnummer SI4114
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max)±16V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3700 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Andere NamenSI4114DY-T1-GE3TR
SI4114DYT1GE3
SI4114DY-T1-GE3CT
SI4114DY-T1-GE3DKR

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